【群秀西安站】Đột phá giúp tạm biệt nỗi lo bộ nhớ đầy trên điện thoại

Một nghiên cứu mới đây đã mở ra hy vọng cho tương lai của lưu trữ dữ liệu giúp các thiết bị có khả năng lưu trữ nhiều thông tin hơn so với công nghệ bộ nhớ flash NAND hiện tại mà vẫn giữ nguyên kích thước. Điều này có thể mở ra tương lai tốt hơn về dung lượng lưu trữ trên điện thoại.

ẢNH: SLASHGEAR

Nhóm nghiên cứu do Độtphágiúptạmbiệtnỗilobộnhớđầytrênđiệnthoạ群秀西安站Giáo sư Yoichi Murakami tại Viện Khoa học Tokyo (Nhật Bản) dẫn đầu đã phát triển một cấu trúc khung hữu cơ cộng hóa trị (COF) sử dụng các "rôto phân tử" nhỏ để lưu trữ thông tin. Khác với bộ nhớ bán dẫn hiện tại, tinh thể COF được thiết kế với mật độ cực thấp cho phép các rôto phân tử có đủ không gian để quay và giữ định hướng. Mỗi rôto hoạt động như một bit có thể chuyển đổi, đóng vai trò là khối xây dựng cho bộ nhớ không bay hơi như ROM.

Không chỉ điện thoại được hưởng lợi

Để có thể ứng dụng thực tế, các rôto này cần đáp ứng 4 tiêu chí: phản ứng với trường điện, giữ vị trí ổn định ở nhiệt độ phòng, quay mà không bị cản trở và chịu được nhiệt độ cao. Theo các nhà nghiên cứu, vật liệu này đã đáp ứng đầy đủ các yêu cầu trên.

Các rôto vẫn ổn định trong điều kiện hằng ngày, có khả năng chịu nhiệt lên đến 150°C và toàn bộ cấu trúc không bị hỏng cho đến khi đạt gần 400°C. Định hướng dữ liệu cũng có thể được chuyển đổi một cách đáng tin cậy dưới điện trường mạnh hoặc khi được nung nóng trên 200°C.

Đây là lần đầu tiên hiệu suất như vậy được ghi nhận với vật liệu COF, đánh dấu một bước tiến quan trọng trong nghiên cứu bộ nhớ phân tử. Mặc dù các thiết bị lưu trữ thực tế dựa trên công nghệ này vẫn còn vài năm nữa mới ra mắt, nhưng phương pháp này có thể mở ra khả năng lưu trữ mật độ cao hơn nhiều so với hiện tại. Nếu được phát triển hơn nữa, bộ nhớ rôto phân tử có thể giúp lưu trữ nhiều dữ liệu hơn vào các con chip nhỏ hơn, ảnh hưởng đến mọi thứ từ điện thoại thông minh, thiết bị đeo cho đến các thiết bị IoT.

(责任编辑：综合)